Samsung a annoncé que le temps de production de ses nouveaux disques était réduit de quatre mois et que le travail avait maintenant commencé sur les versions 250 Go de disques SSD SATA.
Le nouveau SSD de sixième génération de Samsung est le premier du genre à proposer la technologie V-NAND 3D à 100 couches, permettant de dépasser les limites actuelles en matière d’empilement de cellules. Les disques SSD vont vanter les vitesses d'écriture inférieures à 450 microsecondes et les temps de réponse à la lecture de moins de 45 microsecondes.
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Après le début de la production par Samsung des nouveaux modèles de 250 Go, un modèle de 512 Go commencera à être fabriqué plus tard dans l’année. Samsung a pour objectif de proposer des disques SSD et eUFS haute vitesse et haute capacité basés sur la nouvelle technologie V-NAND.
Les nouveaux disques Samsung verront leurs performances augmenter de 10% et leur consommation d’énergie diminuer de 15%.
Le vice-président exécutif de Samsung Electronics, Kye Hyun Kyung, a déclaré à propos de la nouvelle technologie:
«En intégrant une technologie de mémoire 3D de pointe à la production en volume, nous sommes en mesure d'introduire des alignements de mémoire opportuns qui élèvent considérablement la barre en matière de vitesse et d'efficacité énergétique.
Avec des cycles de développement plus rapides pour les produits V-NAND de prochaine génération, nous prévoyons d'élargir rapidement les marchés de nos solutions V-NAND 512 Go haute capacité et haute capacité. »
La nouvelle catégorie de performances est obtenue grâce à la technologie de «gravure de trous de canal», comme l’appelle Samsung. Le nouveau V-NAND ajoute environ 40% de cellules supplémentaires à la structure à une seule pile de la couche 9x précédente.
La technologie V-NAND permet aux disques d’éviter les problèmes que les disques NAND peuvent rencontrer. V-NAND utilise une conception de circuit optimisée en termes de vitesse qui permet aux disques de réaliser des flux de transfert de données plus rapides sans inviter d'erreur et de ralentir la vitesse.
Samsung a pour projet d’utiliser 3D V-NAND sur les appareils mobiles de la prochaine génération ainsi que sur les serveurs d’entreprise. Samsung considère également que l'automobile est un marché dans lequel la technologie pourrait s'installer.
Une productivité plus rapide a été obtenue en réduisant le nombre de trous de canal nécessaires pour produire une densité de puces de 250 Go. Le nombre de trous était auparavant de 930 millions dans la génération précédente – Samsung a réduit le nombre à 670 millions.
La réduction signifie des tailles de puce plus petites, moins d'étapes de processus et l'amélioration de plus de 20% de la productivité de la fabrication.
