Lors d'une récente présentation, le directeur technique et directeur du développement technologique d'Intel, Mike Mayberry, a fait la lumière sur ce qui est en préparation pour l'entreprise – et cela a beaucoup à voir avec le nanoribbon / nanofil.
La présentation complète sur «L'avenir du calcul» se trouve ci-dessus. C'est assez technique, mais une analyse plus approfondie a conduit le Dr Ian Cutress d'AnandTech à la conclusion qu'Intel produira en masse des composants Nanowire / Nanoribbon d'ici 2025.
Certes, l’évolution du soi-disant FinFET vers le Nanoribbon / Nanowire est un moyen logique pour l’entreprise d’accroître ses performances en volumes encore plus petits pour suivre la loi de Moore.
La technologie des nanofils, connue dans l'industrie des semi-conducteurs sous le nom de Gate-All-Around ou GAA, peut être mise à l'échelle latéralement en feuilles (Samsung l'appelle MBCFET). D'autres concurrents tels que TSMC sont susceptibles de travailler également sur des projets de nanofils, ce qui signifie que Nvidia, Apple, Qualcomm et AMD en bénéficieront également.
Les premiers prototypes GAAFET de 3 nm de Samsung ont été annoncés plus tôt cette année, tandis que les plans de TSMC pour introduire la nouvelle technologie semblent avoir été retardés par la pandémie actuelle, avec une production de masse de silicium GAAFET 3 nm susceptible d'être repoussée jusqu'en 2022. Cela signifie jusqu'à trois ans passera avant qu'Intel accélère la production.
Nous savons que les architectures Zen 5 et Zen 4 d'AMD sont déjà en développement et pourraient bien être les premières à utiliser ce nouveau nœud, avec le successeur de Ampère de Nvidia.
Via AnandTech
