Une nouvelle façon de concevoir le composant de base qui entre dans chaque mémoire système pourrait annoncer une nouvelle ère de D-RAM (Dynamic Random Access Memory) bon marché et à faible consommation d’énergie.
L’organisme de recherche imec a récemment présenté une nouvelle technologie qui renonce à l’utilisation de condensateurs de stockage et utilise deux transistors à couches minces indium-gallium-oxyde de zinc (IGZO-TFT).
Gouri Sankar Kar, directeur de programme chez imec, a déclaré dans un communiqué que la solution «aidera à abattre le soi-disant mur de la mémoire». Cela fait référence à la différence de vitesse croissante entre le CPU et la mémoire située à l’extérieur.
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Plus de mémoire pour votre argent
Dans un échange de courriels avec TechRadar Pro, un porte-parole de l’organisation a confirmé que l’objectif est de proposer des puces mémoire avec des capacités supérieures à 128 Gbit. Cela ouvrirait la porte à des unités D-RAM 3D haute densité et basse consommation qui pourraient, à leur tour, faire baisser davantage les prix de la mémoire.
L’empilement de couches est une stratégie courante utilisée dans les disques SSD pour augmenter la capacité à un prix moins cher, sans trop sacrifier les performances. Les puces de mémoire Flash de nouvelle génération devraient avoir près de 200 couches (Micron a récemment dévoilé une NAND 3D de 176 couches).
Ce qui rend cette percée imec encore plus excitante, c’est qu’elle peut permettre à l’informatique en mémoire de devenir plus abordable et aux disques RAM de devenir beaucoup plus courants.
